ケイ・エス・ティ・ワールドが提案する厚膜酸化膜付ウェーハやThick BOX SOI Wafer、Structured SOI　Wafer は、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）分野においても、これまでにない新材料として多くのお客様に注目されています。

Up to 20um thermal oxide

Structured SOI シリーズ

使用例

エッチングのハードマスク

MEMS分野ではディープエッチングによる貫通穴や深掘りパターンが一般的によく用いられます。
ケイ・エス・ティ・ワールドの厚い熱酸化膜はエッチングのハードマスクとしても利用可能で、エッチング耐性に必要な膜厚を十分にカバーする事ができます。

ナノインプリント用モールド

硬くて加工しやすい熱酸化膜はMEMS分野で用いられるナノインプリントの型（モールド）として広く採用されています。構造体に必要なモールドの深さをケイ・エス・ティ・ワールドの厚膜でカバーできるため、幅広い用途に展開する事が可能となっています。


加速度センサー、アクチュエーター、カンチレバー、圧力センサー

ThickBOX® SOI Wafer は、加速度センサーやアクチュエーターなどSOIウェーハの埋め込み酸化膜を犠牲層としてエッチングするバルク型MEMSに有効です。
厚いBOX を犠牲層とする事で構造体の作動に十分なクリアランスを確保でき、スティッキングの問題解決や垂直方向への作動範囲が広がるなど、歩留まりの改善や新しい発想のデバイス開発に貢献しています。


また、Structured SOI Waferでは、お客様任意のパターンを事前に埋め込む事で、犠牲層エッチングや裏面からのパターニング工程を無くし、より高い歩留まり改善効果を生み出します。
BOX Cavity SOI Wafer は犠牲層が予めエッチングされているため、お客様での煩わしい工程が削減されます。



ケイ・エス・ティ・ワールドの厚膜熱酸化膜技術の特徴を生かしたBOX Cavity SOI Wafer はダイアフラム構造のMEMSデバイスに最適です。裏面からのエッチング加工が不要になるだけでなく、チップの小型化や異なるサイズのCavityを隣接させてより高度なデバイスの作成が可能となります。




構造体の作動範囲が大きいデバイスには深掘りが可能なHandle Cavity SOI Wafer が向いています。
BOX Cavity と同じく、裏面からのエッチング加工が不要、チップの小型化、機械的強度の向上など様々なメリットが期待できます。

その他、成膜加工サービスも大変ご好評いただいています。
例えば、お客様でシリコンエッチングされたウェーハにも当社の厚膜熱酸化膜加工を施す事が可能で、ホールパターンへの絶縁膜形成や熱酸化膜で埋め込む事もケイ・エス・ティ・ワールドだからこそ対応できる内容です。