ケイ・エス・ティ・ワールドが提案する ThickBOX® SOI や Structured SOI は従来のシリコンウェーハをベースに応用したもので、これまでの設計概念、製造設備をそのままに、超高耐圧な半導体パワーデバイスを早期に実現する方法として注目されています。

ThickBOX® SOI

Power Devices　IGBT

Direct Bond Cavity SOI

ハイブリット型IGBTの場合は空気層を有したDirect Bond Cavity SOIが有効です。空気層の領域を絶縁層とし、空気層の無い領域を通常のシリコン基板として使い分ける事で、高耐圧化と放熱性の課題を容易に解決します。